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TESCAN S9000X/FIB
Máxima resolución y rendimiento en la preparación y 
caracterización de muestras a gran escala

TESCAN S9000X es la plataforma para aplicaciones de análisis de fallas físicas más desafiantes en semiconductores y caracterización de materiales que requieren una precisión máxima y un rendimiento extremadamente alto. El TESCAN S9000X garantiza la máxima resolución y sensibilidad de superficie esenciales para resolver estructuras de tamaño nanométrico, proporcionando las mejores condiciones para caracterizaciones de muestras 3D de gran volumen y, al mismo tiempo, ofreciendo capacidades FIB inigualables que permiten corte transversal de un área precisa, libre de daños y extremadamente grande en tecnologías de envasado y dispositivos optoelectrónicos.

El análisis de fallas físicas por causa raíz de dispositivos semiconductores actuales se ha convertido en una tarea extremadamente compleja que necesita tratar dispositivos cada vez más pequeños con mayor densidad y funcionalidad. Esto requiere plataformas analíticas altamente confiables que puedan mantenerse al día con la creciente complejidad de diseño y arquitectura de circuitos integrados, dispositivos optoelectrónicos y, en general, con el desarrollo de nuevos nanomateriales y nanotecnologías. El TESCAN S9000X es una poderosa plataforma FIB-SEM específicamente diseñada para enfrentar tales desafíos. La resolución final, la sensibilidad de la superficie y el contraste se entregan con las capacidades excepcionales de generación de imágenes Triglav™ de próxima generación. Por otro lado, la nueva columna iFIB + ™ viene a impulsar aún más el ámbito de las aplicaciones de FIB de plasma Xe con la capacidad de microingeniería de muestra a gran escala y microanálisis en 3D manteniendo a la vez el tiempo de respuesta más corto.
Características principales
· Nueva GUI de Essence SW para operaciones más fáciles, más rápidas y más suaves, incluido modelo de impacto con diseño personalizable y orientado a la aplicación

· Columna SEM Triglav™ UHRpara una resolución máxima con excelente rendimiento a bajas energías con sistema optimizado de detección en columna
· Capacidad de colección de señales de electrones axiales con filtrado de energía para una mayor sensibilidad superficial

· Nueva columna FIB de plasma iFIB + ™ Xe con un FoV inigualable permitiendo un corte transversal de área extremadamente grande

· Nueva generación de detección SEM in-lens combinado con altas tasas de pulverización para microanálisis ultrarrápido en 3D


· Patente de gas y recetas para el análisis físico de fallas en tecnologías de envasado y desprocesamiento plano IC

· Cambiador piezoeléctrico de apertura de haz con precisión para un cambio rápido entre los preajustes de FIB

· Tira con 30 aperturas FIB para una vida útil prolongada con mínimo mantenimiento

· Asistente semiautomático de optimización de puntos para una fácil selección de las condiciones de fresado FIB

· Módulos SW orientados al flujo de trabajo dedicado, asistentes y medios para un rendimiento máximo y facilidad

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